IT之家 1 月 19 日消息，韓媒 ETNews 本月 14 日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，SK 海力士已完成對(duì)中國(guó)江蘇無(wú)錫 DRAM 內(nèi)存晶圓廠的制程轉(zhuǎn)換工作，主要工藝已從 1z nm（IT之家注：第三代 10 納米級(jí)）升級(jí)至 1a nm（第四代 10 納米級(jí)）。

無(wú)錫晶圓廠為 SK 海力士貢獻(xiàn)了約 1/3 的 DRAM 產(chǎn)能，報(bào)道指在該廠當(dāng)下每月 18~19 萬(wàn)片 12 英寸晶圓的投片量中已有大致九成為 1a nm。由于 1a nm 需要 EUV 光刻但相關(guān)設(shè)備存在進(jìn)口限制，因此無(wú)錫所產(chǎn) 1a nm 產(chǎn)品需要在韓國(guó)完成部分步驟。

SK 海力士官方對(duì) ETNews 的報(bào)道不予置評(píng)。

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