IT之家 2 月 5 日消息，韓媒 hankyung 當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日?qǐng)?bào)道稱，三星電子計(jì)劃在平澤 P4 晶圓廠綜合體建設(shè)一條用于生產(chǎn) HBM4 內(nèi)存所需 1c nm DRAM Die 的大型生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線計(jì)劃明年一季度投入生產(chǎn)，月產(chǎn)能達(dá) 10~12 萬片晶圓。

作為參考，三星電子在 2026 年的月均 DRAM 產(chǎn)能為 66 萬片晶圓，換句話說這一條生產(chǎn)線就能貢獻(xiàn)總產(chǎn)能近 1/5 的制造能力。如果加上現(xiàn)有的約 6.5 萬片晶圓 1c nm 月產(chǎn)能，那 HBM4 屆時(shí)將占據(jù)三星 DRAM 產(chǎn)能的約 1/4。而在配套的 HBM4 Base Die 方面，平澤 S5 的 4nm 生產(chǎn)線已全面投入運(yùn)營。

與此同時(shí)，三星電子還計(jì)劃將華城 Fab 17 的現(xiàn)有 DRAM 生產(chǎn)線升級(jí)至 1c nm，以滿足移動(dòng)設(shè)備、家用電器等對(duì)先進(jìn)通用型內(nèi)存的需求。

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